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因此某光學薄膜制造商采用KRI 考夫曼射頻離子源 FRICP220 和射頻離子源 FRICP140輔助濺射制備GdF3光學薄膜, 以求獲得透過率高且良好抗激光損傷能力的均勻性的GdF3光學薄膜.
客戶離子束濺射系統裝置圖如下圖:
其中用于濺射的離子源為 20cm的 KRI 射頻離子源 RFICP220, 輔助離子源為12cm的KRI 射頻離子源 RFICP140.
伯東 KRI 射頻離子源 RFICP220 技術參數:
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portant;">
離子源型號 |
portant;">
RFICP220 |
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portant;">
Discharge |
portant;">
RFICP 射頻 |
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portant;">
離子束流 |
portant;">
>800 mA |
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portant;">
離子動能 |
portant;">
100-1200 V |
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portant;">
柵極直徑 |
portant;">
20 cm Φ |
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portant;">
離子束 |
portant;">
聚焦, 平行, 散射 |
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portant;">
流量 |
portant;">
10-40 sccm |
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portant;">
通氣 |
portant;">
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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portant;">
典型壓力 |
portant;">
< 0.5m Torr |
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portant;">
長度 |
portant;">
30 cm |
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portant;">
直徑 |
portant;">
41 cm |
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portant;">
中和器 |
portant;">
LFN 2000 |
* 可選: 燈絲中和器; 可變長度的增量
伯東 KRI 射頻離子源 RFICP140 技術參數:
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portant;">
型號 |
portant;">
RFICP140 |
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portant;">
Discharge |
portant;">
RFICP 射頻 |
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portant;">
離子束流 |
portant;">
>600 mA |
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portant;">
離子動能 |
portant;">
100-1200 V |
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portant;">
柵極直徑 |
portant;">
14 cm Φ |
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portant;">
離子束 |
portant;">
聚焦, 平行, 散射 |
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portant;">
流量 |
portant;">
5-30 sccm |
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portant;">
通氣 |
portant;">
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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portant;">
典型壓力 |
portant;">
< 0.5m Torr |
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portant;">
長度 |
portant;">
24.6 cm |
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portant;">
直徑 |
portant;">
24.6 cm |
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portant;">
中和器 |
portant;">
LFN 2000 |
工藝簡介:
離子源工作氣體為Xe氣, NF3作為輔助氣體反應濺射, 靶材為金屬Gd靶.
KRI 射頻離子源 RFICP220 主要是用于產生高能Xe離子束轟擊靶材, 通過動量傳遞使靶材原子獲得足夠的動能而脫離靶材表面, 射向基板, 在基板的上沉積而形成一層薄膜; 另一個輔助離子源（KRI 射頻離子源 RFICP140）通入NF3, 通過對生長中的薄膜的轟擊, 使得薄膜進一步致密, 同時改善薄膜的化學性能.
運行結果:
KRI 考夫曼射頻離子源輔助濺射制備GdF3光學薄膜具有極高的透過率和良好的抗激光損傷能力, 而且膜厚均勻性良好.
伯東是德國 Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質譜儀, 真空計, 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國HVA 真空閥門, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機, 美國 Ambrell 感應加熱設備和日本 NS 離子蝕刻機等進口知名品牌的指定代理商.
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